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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211057162.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试系统及方法是由姚志斌;陈伟;马武英;缑石龙;盛江坤;何宝平设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试系统及方法在说明书摘要公布了：本发明为解决现有晶体管可靠性测试方法主要适用于单只器件的测试，测试周期长，同时在辐射环境下可靠性退化试验中，晶体管的退火时间存在差异，使试验结果不准确问题，提供了一种晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试系统及方法。该测试系统包括控制计算机、通过控制总线与控制计算机连接的半导体参数测试仪、电应力施加设备和矩阵开关，以及用于安装被测晶体管阵列的晶体管阵列测试夹具；半导体参数测试仪用于测量被测晶体管阵列的电参数；电应力施加设备用于为被测晶体管阵列提供所需的电应力源；所述矩阵开关的每一行依次与晶体管阵列测试夹具的管脚相连，矩阵开关的每一列则依次与半导体参数测试仪的测试通道和电应力施加设备相连。

本发明授权晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试方法，基于一种测试系统，包括控制计算机，通过GPIB控制总线与控制计算机连接的半导体参数测试仪、电应力施加设备和矩阵开关，以及用于安装被测晶体管阵列的晶体管阵列测试夹具；所述半导体参数测试仪用于测量被测晶体管阵列的电参数；所述电应力施加设备用于为被测晶体管阵列提供所需的电应力源；所述矩阵开关的每一行依次与晶体管阵列测试夹具的管脚相连，矩阵开关的每一列则依次与半导体参数测试仪的测试通道和电应力施加设备相连；其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、对晶体管阵列中的N只晶体管进行排序，确定测量晶体管电参数的测试方法以及测试顺序； 步骤2、根据步骤1中确定的测量方法与测试顺序，依次测量并记录N只晶体管的初始电参数，以及每只晶体管切换到测量状态的时间和测量时间；N≥2，且N为正整数； 步骤3、确定向晶体管施加的电应力大小和第一阶段电应力施加时间tSILC,1； 步骤4、复位矩阵开关，使晶体管阵列在辐射环境下可靠性退化的测试系统中所有通道均断开连接； 步骤5、开启电应力施加设备，并使其处于输出状态；控制计算机中的软件自动开启两个并行运行线程：启动线程和测量线程； 步骤6、启动线程 6.1、启动电应力施加时间计数器，设定定时时间为步骤3中确定的第一阶段电应力施加时间tSILC,1； 6.2、计算晶体管阵列依次切换至电应力施加状态的时间间隔tΔi，确定第i只晶体管切换至电应力施加状态的时间STi； 其中，tswi1i、tswi1m分别为第i只、第m只晶体管从电应力施加状态切换到测试状态的时间；ttesti、ttestm分别为第i只、第m只晶体管测量电参数需要的时间；2≤i≤N，且i为整数；1≤m≤i-1，且m为整数； 6.3、按步骤1设定的N只晶体管的测试顺序依次切换矩阵开关以及步骤6.2计算的时间间隔tΔi，使N只晶体管依次进入电应力施加状态； 6.4、直至N只晶体管均完成第一轮电应力施加； 步骤7、测量线程 7.1、读取电应力施加时间计数器的值，判断第一只晶体管是否完成电应力施加，且半导体参数测试仪是否处于空闲状态，若否，则等待，若是进入步骤7.2； 所述第一只晶体管是否完成电应力施加即电应力施加时间计数器的值大于等于第一阶段施加电应力时间tSILC,1； 7.2、按步骤1设定的N只晶体管的测试顺序依次切换矩阵开关，使第i只晶体管切换至测量状态，第i-1只晶体管处于电应力施加状态； 7.3、按步骤1确定的测量方法依次对N只晶体管分别进行电参数测量； 7.4、直至N只晶体管均完成第一阶段电参数测量； 步骤8、根据晶体管电参数退化试验目的，判断是否还需继续下一阶段电应力试验，若是，返回步骤3，并重新确定下一阶段施加的电应力大小和下一阶段电应力施加时间；若否，则结束电应力试验。

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