上海华力集成电路制造有限公司陈科成获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善钨金属研磨后缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210889930.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权改善钨金属研磨后缺陷的方法是由陈科成;姜兰设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善钨金属研磨后缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善钨金属研磨后缺陷的方法，包括以下步骤：步骤S1,提供一待沉积金属钨的半导体集成工艺衬底；步骤S2,在S1所述半导体集成工艺衬底上进行钨金属气相沉积；步骤S3,对所沉积钨的半导体集成工艺衬底进行化学机械研磨平坦化处理；步骤S4,对步骤S3所获得衬底进行低温气氛热退火工艺处理；步骤S5：进行后续工艺。本发明通过在半导体集成工艺制造过程中，对所沉积的金属钨进行化学机械研磨平坦化之后进行低温气氛热退火工艺处理；用以解决金属钨暴露在空气中容易与水汽、氧气反应生成聚合物的缺陷，延长工艺等待时间，有利于后续工艺的顺利实施，提高产品的最终性能和良率。
本发明授权改善钨金属研磨后缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善钨金属研磨后缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1,提供一待沉积金属钨的半导体集成工艺衬底； 步骤S2,在S1所述半导体集成工艺衬底上进行钨金属气相沉积； 步骤S3,对所沉积钨的半导体集成工艺衬底进行化学机械研磨平坦化处理； 步骤S4,对步骤S3所获得衬底进行低温气氛热退火工艺处理； 步骤S5：进行后续工艺； 在所述步骤S4中，低温气氛热退火工艺，温度为300~500℃，压力为1torr~780torr，时间为10S~1000S，用以解决金属钨暴露在空气中容易与水汽、氧气反应生成聚合物的缺陷。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号