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龙图腾网获悉中锗科技有限公司申请的专利一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210878246.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法是由吕春富;常晟;刘桂勇设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法，包括：1用高纯水冲洗干净、甩干，揭去背面的UV膜，按照抛光面朝卡塞U头方向，插入卡塞的插槽中；2浸入3％‑40％的碱液中浸泡2‑5分钟，再用去离子水冲洗3‑5分钟，然后置于甩干机甩干；3浸入四甲基氢氧化氨水溶液中泡洗30‑120秒，然后纯水冲洗30‑90S；4再放入温度低于6℃以下的腐蚀液中泡洗120‑300s，然后纯水冲洗30‑90S，甩干，检查表面质量合格后充氮气包装。本发明可以有效去除抛光片表面磨料颗粒、损伤氧化层、抛光残留药水，通过三种药水清洗，可以得到达到高质量的锗单晶抛光片清洗表面，其表面颗粒度大于0.3微米的几乎没有，清洗后表面清洁透亮，表面均匀细腻、粗糙小于0.2纳米；本方法操作简单，容易实现量产。

本发明授权一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：超薄锗单晶抛光片的厚度小于200微米，超薄锗单晶抛光片采用粘贴UV膜的方法进行抛光，其清洗包括顺序相接的步骤如下： 1将精抛完的超薄锗单晶抛光片用高纯水冲洗干净、甩干，在紫外灯下照射，把超薄锗单晶抛光片背面的UV膜揭去，按照抛光面朝卡塞U头方向，插入卡塞的插槽中； 2将装有超薄锗单晶抛光片的卡塞浸入质量浓度为3％-40％的碱液中浸泡2-5分钟，再用去离子水冲洗3-5分钟，然后置于甩干机甩干； 3将甩干锗单晶抛光片单片放置在晶片夹上夹紧，浸入四甲基氢氧化氨水溶液中泡洗30-120秒，然后纯水冲洗30-90S； 4再将锗单晶抛光片放入温度低于6℃以下的腐蚀液中泡洗120-300s，然后纯水冲洗30-90S，其中，腐蚀液由体积比为7～9:1:1～3的水、双氧水和氨水混合而成； 5将锗单晶抛光片甩干，检查表面质量合格后充氮气包装； 步骤3中，四甲基氢氧化氨水溶液的质量浓度为15-35％； 步骤4中，双氧水的质量浓度为28～32％，氨水的质量浓度为26～30％； 步骤5得到的锗单晶抛光片表面颗粒度大于0.3微米的为0颗，粗糙小于0.2纳米，且表面清洁透亮。

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