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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种用于海水光电催化高效析氢的Ni3S2/SiNWs阴极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115961303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210854934.6，技术领域涉及：C25B11/04；该发明授权一种用于海水光电催化高效析氢的Ni3S2/SiNWs阴极材料及其制备方法是由吕珺;何鑫梦;徐光青;沈王强;鲍智勇;崔接武;余东波;余翠平;吴玉程设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于海水光电催化高效析氢的Ni3S2/SiNWs阴极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于海水光电催化高效析氢的Ni3S2SiNWs阴极材料及其制备方法，采用金属辅助化学刻蚀的方法制备硅纳米线基底，然后依次通过光电沉积和化学气相沉积工艺在硅纳米阵列上生长Ni3S2纳米催化剂。本发明的制备方法与传统的二元催化剂复合工艺方法相比，在SiNWs基底表面直接沉积生长助催化剂具有更强的附着力；并且Ni3S2具有较高的导电性，可以有效改善硅基材料的电荷传输速率；Ni3S2与p‑Si的纳米结构具有较大的比表面积，在阴极表面构筑了大量H+吸附和水分解活性位点，因此Ni3S2SiNWs阴极材料在光电催化海水析氢体系中具有电荷转移电阻小、表面活性位点多、高效析氢的优势。

本发明授权一种用于海水光电催化高效析氢的Ni3S2/SiNWs阴极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于海水光电催化高效析氢的Ni3S2SiNWs阴极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1配置NiCl2水溶液，并对其通半小时N2除氧，采用三电极体系将硅纳米线基底作为工作电极，对溶液持续通入N2，通过光电沉积的方法制得NiSiNWs光电催化剂，其中，光电沉积中光照强度为100mW·cm-2，沉积电压为-1.5V，沉积时间为15～60s； 2将NiSiNWs催化剂和硫粉分别置于真空的管式炉中的两个区域，然后分别加热到不同温度，管式炉中通入一定流量的N2，制备得到所述用于海水光电催化高效析氢的Ni3S2SiNWs阴极材料， 其中，管式炉内的真空度为0.1-0.01mBar，硫粉置于管式炉入口区，NiSiNWs催化剂置于管式炉中间区，且NiSiNWs催化剂沿氮气流动方向垂直放置，当中间区温度达到270℃，管内氮气开始流动，管内氮气流量为200sccm，入口区在125℃温度下保持30分钟，中间区在300℃温度下保持40分钟。

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