浙江大学杭州国际科创中心宋立辉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210839290.3，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法是由宋立辉;皮孝东;杨德仁;刘帅;熊慧凡;茆威威设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅技术领域，具体为一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法，基于PECVD沉积薄膜法在所述碳化硅晶圆的至少一侧表面形成对应的非晶硅薄膜，利用PECVD的退火过程中，非晶硅薄膜中的氢原子逸出到碳化硅晶圆对应的表面上，对所述碳化硅晶圆对应表面的碳空位缺陷进行钝化；并利用非晶硅薄膜的晶格常数与碳化硅晶圆的晶格常数比较接近，可以很好地与碳化硅晶圆表面的悬挂键成键，减少所述碳化硅晶圆表面的悬挂键数量，消除碳空位缺陷即钝化碳化硅晶圆表面的碳空位缺陷，从而提高所述碳化硅晶圆至少一侧表面的寿命。
本发明授权一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供碳化硅晶圆； 基于PECVD沉积薄膜法在所述碳化硅晶圆的至少一侧表面形成对应的非晶硅薄膜，其中，所述PECVD沉积薄膜法包括退火过程，利用退火过程将所述非晶硅薄膜中的氢原子逸出到所述碳化硅晶圆对应的表面上，对所述碳化硅晶圆对应表面的碳空位缺陷进行钝化，从而提高所述碳化硅晶圆表面的寿命； 生成非晶硅薄膜后，所述非晶硅薄膜与碳化硅晶圆对应表面的悬挂键成键，钝化所述碳化硅晶圆对应表面的碳空位缺陷，从而提高所述碳化硅晶圆的表面寿命； 去除所述非晶硅薄膜。
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