北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;复旦大学赵东艳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;复旦大学申请的专利非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114694727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210177188.1，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法是由赵东艳;陈燕宁;潘成;王于波;邵瑾;薛晓勇;赵文龙;吴峰霞;姜静雯;郭之望设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法，属于半导体技术领域。方法包括：响应于第一数据读取指令，向非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压，并向三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压，第二电压低于第一电压，且第一电压与第二电压的差值大于三端开关元件的阈值电压；通过非易失性存储器件与位线连接的一端获取非易失性存储器件的存储数据。本申请能有效避免了现有的反向读取过程中需对与非易失性存储器件连接的源线施加高电压，导致开关元件产生衬偏效应，进而导致开关元件阈值电压变化，影响存储单元的读取速度和裕度的问题。
本发明授权非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储单元数据读取方法，所述非易失性存储单元包括串联连接的非易失性存储器件及三端开关元件，其特征在于，所述读取方法包括： 响应于第一数据读取指令，向所述非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压，并向所述三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压，所述第二电压低于所述第一电压，且所述第一电压与所述第二电压的差值大于所述三端开关元件的阈值电压； 通过所述非易失性存储器件与位线连接的一端获取所述非易失性存储器件的存储数据； 其中，所述非易失性存储单元为1T1R的阻变存储器，所述第一数据读取指令为指示对阻变存储器进行反向读取。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;复旦大学，其通讯地址为：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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