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龙图腾网获悉上海芯导电子科技股份有限公司申请的专利GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210118917.6，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备是由庞亚楠;陈敏;戴维;欧新华;袁琼;符志岗;邱星福;刘宗金设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaNHEMT器件的栅极刻蚀方法，包括：刻蚀势垒层上的P型层；以所述第一图形化阻挡层为掩模，对所述第一P型层进行第一次刻蚀，对剩余的所述第一P型层暴露出来的侧面进行第一次化学处理；在剩余的所述P型层的表面形成第二图形化阻挡层；以所述第二图形化阻挡层为掩模，对所述第二P型层进行第二次刻蚀，形成台阶结构；对剩余的所述第二P型层暴露出来的侧面以及暴露出来的所述势垒层的表面进行第二次化学处理；既有效抑制了来自势垒层的电荷移动，又消除刻蚀过程中产生的P型层的侧壁缺陷和势垒层的表面缺陷，有效减少了漏电和向栅极的电荷转移，从而提高了阈值电压的稳定性和可靠性，解决了一定程度的长时间使用后会出现漂移现象。

本发明授权GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件的栅极刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上沿背离所述衬底方向上依次形成成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、P型层；其中， 所述P型层包括第二P型层以及形成在所述第二P型层上的第一P型层，其中，第一P型层厚度大于第二P型层； 在所述P型层的表面形成第一图形化阻挡层； 以所述第一图形化阻挡层为掩模，对所述第一P型层进行第一次刻蚀，去除所述第一图形化阻挡层所覆盖区域外的第一P型层，暴露出所述第二P型层； 对剩余的所述第一P型层暴露出来的侧壁进行第一次化学处理；以消除侧壁缺陷； 去除所述第一图形化阻挡层；在剩余的所述P型层的表面形成第二图形化阻挡层； 以所述第二图形化阻挡层为掩模，对所述第二P型层进行第二次刻蚀，暴露出所述势垒层，使得所述第二次刻蚀后剩余的所述第二P型层和剩余的所述第一P型层形成台阶结构； 对剩余的所述第二P型层暴露出来的侧壁以及暴露出来的所述势垒层的表面进行第二次化学处理； 去除所述图形化的第二阻挡层； 形成介质层，所述介质层覆盖在剩余的P型层的表面，以及暴露出的势垒层的表面； 其中，所述第二次刻蚀刻蚀所述P型层的刻蚀速率小于所述第一次刻蚀刻蚀所述P型层的速率。

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