江苏吉莱微电子股份有限公司张鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏吉莱微电子股份有限公司申请的专利一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111659083.1，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法是由张鹏;宋文龙;杨珏琳;王志明设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法，制备方法包括：制备N型衬底材料；制备N型外延层；生长一层牺牲氧化层，正面光刻形成P型扩散区图形，正面硼注入，硼推进；正面光刻形成N+扩散区图形，正面磷注入；正面光刻形成P+扩散区图形，正面硼注入，硼推进，形成N+扩散区、P+扩散区；正面淀积隔离介质层，正面光刻形成接触孔区；正面溅射或蒸发金属，合金；背面减薄，背面金属。发明在P型扩散区上方引入P+扩散区，P+扩散区的光刻间距为L，设计L的尺寸，使得由P+扩散区、N型外延层、P+扩散区组成的PNP结构在击穿电压3.3‑6V实现穿通，达到低压低漏电流的要求，通过优化N型外延层的浓度与光刻间距L的尺寸，可以获得小于1uA的漏电流。
本发明授权一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低压低漏电流单向保护器件，其特征在于：所述单向保护器件的剖面结构包括N型衬底材料、N型外延层、P型扩散区、P+扩散区、N+扩散区、表面钝化层、正面金属层、背面金属层，所述N型外延层位于N型衬底材料上，所述N型外延层顶部依次为N+扩散区、第一P+扩散区、P型扩散区、第二P+扩散区、N+扩散区，所述N+扩散区与P+扩散区通过N型外延层上表面的正面金属层形成互联，所述P型扩散区上方引入第三P+扩散区，所述引入的第三P+扩散区与P型扩散区两侧的第一P+扩散区、第二P+扩散区的光刻间距为L，L为0.5-2μm，所述N+扩散区、第一P+扩散区、第二P+扩散区、第三P+扩散区与上方正面金属层的连接处设有表面钝化层。
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