中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杜杳隽获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116300297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111562568.9，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质是由杜杳隽设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质，建立方法包括：提供测试图形；根据测试图形获得测试光罩；对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的测试点和多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；根据实际曝光图形和模拟曝光图形，确定实际曝光图形和模拟曝光图形的误差；基于误差对初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。本发明更精准地建立光学邻近修正模型。
本发明授权OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，包括： 提供测试版图，所述测试版图包括测试图形； 根据所述测试图形，获得相对应的测试光罩； 对所述测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形； 利用初始光学邻近修正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，所述模拟曝光包括：对所述测试图形上的每一个测试点和位于所述测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与所述测试点距离相等的周围点分别配置在所述平滑化处理中所占的权重； 根据所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差； 基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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