买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利省去CLDD光罩的Nor Flash器件结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111538777.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权省去CLDD光罩的Nor Flash器件结构的形成方法是由申红杰;杜怡行;王壮壮;王虎;顾林设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本省去CLDD光罩的Nor Flash器件结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种省去CLDD光罩的NorFlash器件结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括存储区和外围区；在存储区上形成存储栅结构；在存储区和外围区注入第一离子形成轻掺杂区；在外围区上形成第一栅极结构；在存储区上形成光刻胶层；以光刻胶层和第一栅极结构为掩膜，在外围区内和第一栅极结构内注入第二离子，第二离子与第一离子的电学类型相反。通过直接在存储区和外围区注入第一离子；再以光刻胶层和第一栅极结构为掩膜，在外围区注入第二离子时，调整第二离子的剂量，使得注入的第二离子能够同时用于在第一栅极结构两侧形成第一源漏掺杂层、以及中和第一栅极结构内的第一离子。该制程中只需要采用光刻胶层一次光罩工艺，有效减少制程成本和制程周期。

本发明授权省去CLDD光罩的Nor Flash器件结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种省去CLDD光罩的NorFlash器件结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区； 在所述存储区上形成若干相互分立的存储栅结构、以及在所述外围区上形成栅极膜层，所述存储栅结构包括浮栅层以及位于所述浮栅层上的控制栅层； 以若干所述存储栅结构为掩膜，在所述存储区和所述外围区注入第一离子，以在所述存储栅结构两侧的存储区内形成轻掺杂区，所述第一离子还同步注入至所述外围区上的所述栅极膜层内； 在形成所述轻掺杂区之后，对所述栅极膜层进行图形化处理，在所述外围区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构内具有所述第一离子，所述第一离子对所述第一栅极结构的性能会造成影响； 在所述存储区上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖若干所述存储栅结构，且所述光刻胶层暴露出所述第一栅极结构； 以所述光刻胶层和所述第一栅极结构为掩膜，在所述外围区内和所述第一栅极结构内注入第二离子，在所述第一栅极结构两侧的外围区内形成第一源漏掺杂层，所述第二离子与所述第一离子的电学类型相反；其中， 调整所述第二离子的剂量，使得注入的所述第二离子还用于中和所述第一栅极结构内的所述第一离子，以降低所述第一离子对所述第一栅极结构形成的器件结构的影响。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。