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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种多芯片高密度互连封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111525572.8，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权一种多芯片高密度互连封装结构及其制作方法是由侯峰泽;尤祥安;李君;王启东设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片高密度互连封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多芯片高密度互连封装结构，包括：第一封装体，包括：第一芯片；芯片焊盘，其在所述第一芯片的正面；绝缘层，其覆盖在所述第一芯片的上方；第一再布线层，其位于所述绝缘层中，与所述芯片焊盘电连接；基板介质层，其布置在所述第一封装体的四周；基板通孔，其贯穿所述基板介质层；第二再布线层，其布置在所述基板介质层的正面和背面以及所述第一封装体的背面；基板堆积层，其包裹所述第一封装体和所述基板介质层，所述基板堆积层包括上基板堆积层和下基板堆积层；盲孔，其位于所述上基板堆积层和下基板堆积层中；基板焊盘；凸点；以及一个或多个功能芯片。本发明还涉及一种多芯片高密度互连封装结构的制作方法。

本发明授权一种多芯片高密度互连封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片高密度互连封装结构，包括： 第一封装体，包括： 第一芯片； 塑封层，其布置在所述第一芯片的四周； 芯片焊盘，其在所述第一芯片的正面； 绝缘层，其覆盖在所述第一芯片和所述塑封层的上方； 第一再布线层，其位于所述绝缘层中，与所述芯片焊盘电连接；基板介质层，其布置在所述第一封装体的四周； 基板通孔，其贯穿所述基板介质层； 第二再布线层，其布置在所述基板介质层的正面和背面以及所述第一封装体的背面；基板堆积层，其包裹所述第一封装体和所述基板介质层，所述基板堆积层包括上基板堆积层和下基板堆积层； 盲孔，其位于所述上基板堆积层和下基板堆积层中； 基板焊盘，其位于所述上基板堆积层的上表面和所述下基板堆积层的下表面； 凸点，其与所述上基板堆积层中的盲孔以及上基板堆积层上表面的焊盘电连接；以及一个或多个功能芯片，其与所述凸点电连接； 在第一芯片四周形成塑封层，从而形成重构晶圆；在晶圆的正面制作绝缘层，然后在芯片焊盘对应的位置通过光刻去除绝缘层形成通孔以及光刻出第一线路图形；制作位于绝缘层中且穿过通孔与芯片焊盘电连接的第一再布线层；将晶圆切割成单颗芯片，形成第一封装体。

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