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龙图腾网获悉立锜科技股份有限公司申请的专利高压元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111507788.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权高压元件及其制造方法是由游焜煌;陈建馀;廖庭维;熊志文;张钧隆;邱国卿;翁武得;邱建维;胡永中;杨大勇设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件包括：半导体层、阱区、基底区、栅极、源极及漏极。基底区具有第二导电型，基底区形成于半导体层中并于通道方向上连接阱区。栅极形成于半导体层之上，部分基底区位于栅极正下方并连接于栅极，以提供高压元件在导通操作中的反转区。源极位于基底区中，漏极位于远离基底区的阱区中，部分阱区位于基底区与漏极之间以隔开基底区及漏极。基底区的杂质掺杂分布的第一浓度峰值区位于源极正下方且接触源极。第一浓度峰值区的第二导电型杂质浓度，高于基底区的其他区域。

本发明授权高压元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压元件，其特征在于，包含： 一半导体层，形成于一基板上； 一阱区，具有一第一导电型，其中该阱区形成于该半导体层中； 一基底区，具有一第二导电型，其中该基底区形成于该半导体层中并于一通道方向上连接该阱区； 一栅极，形成于该半导体层之上，其中部分该基底区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压元件在一导通操作中的一反转区； 一源极以及一漏极，具有该第一导电型，其中，该源极以及该漏极形成于该半导体层的一上表面下方且连接于该上表面，其中，该源极以及该漏极分别位于该栅极的两侧边，该源极位于该基底区中，该漏极位于远离该基底区的该阱区中，其中，部分该阱区位于该基底区与该漏极之间以隔开该基底区及该漏极；以及 一埋层，至少部分该埋层形成于该半导体层中，其中该埋层具有该第一导电型，该埋层位于该基底区及该阱区正下方； 其中，该基底区的一第一浓度峰值区位于该源极正下方且接触该源极； 其中，该第一浓度峰值区的第二导电型杂质浓度，高于该基底区的其他区域； 其中，该基底区的一第二浓度峰值区位于该半导体层的该上表面下且连接该上表面，其中该第二浓度峰值区环绕并连接该源极，且该第二浓度峰值区的该第二导电型杂质浓度，高于该基底区中，除了该第一浓度峰值区的其他区域； 其中，该基底区还包括一第一层，其由一第一工艺步骤形成，其中该第一工艺步骤同时在该半导体层中的另一元件中形成另一第一层，且该第一层自该上表面向下延伸的深度，大于该源极； 其中，该基底区还包括一第二层，其由一第二工艺步骤形成，其中该第二工艺步骤同时在该半导体层中的另一元件中形成另一第二层，且该第二层自该上表面向下延伸的深度，大于该第一层。

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