罗伯特·博世有限公司M·科恩获国家专利权
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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利用于生产包括至少一个碳导体的导电导体束的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116569281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180083649.2，技术领域涉及：H01B1/04；该发明授权用于生产包括至少一个碳导体的导电导体束的方法是由M·科恩设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于生产包括至少一个碳导体的导电导体束的方法在说明书摘要公布了：用于生产包含至少一个碳导体3的导电导体束1的方法，其包括以下步骤：a制造或提供导体束1作为包含至少一个碳导体3的中间产品，所述碳导体特别包含石墨、热解石墨、石墨烯、石墨炔和或碳纳米管，b将导体束1和一种或多种嵌入物质2，特别是一种或多种金属卤化物或一种或多种有机碱金属引入反应器体积5的气相或液相中，其中所述嵌入物质适用于嵌入到导体束1的所述至少一个碳导体3的材料中，和c对导体束1进行热处理，其中使反应器体积5达到工艺温度以引发嵌入4，其中嵌入物质2的原子或分子嵌入在各自碳导体3的材料中，特别是积聚到碳导体3的碳结构形式上，特别是在多层碳结构形式的层之间的区域中。
本发明授权用于生产包括至少一个碳导体的导电导体束的方法在权利要求书中公布了：1.用于生产包含至少一个碳导体3的导电导体束1的方法，其包括以下步骤： a制造或提供导体束1作为包含至少一个碳导体3的中间产品， b将导体束1和一种或多种嵌入物质2引入反应器体积5的气相或液相中，其中所述嵌入物质适用于嵌入到导体束1的所述至少一个碳导体3的材料中，和 c对导体束1进行热处理，其中使反应器体积5达到工艺温度以引发嵌入4，其中嵌入物质2的原子或分子嵌入在各自碳导体3的多层碳结构形式的层之间的区域中， 其特征在于，所述嵌入物质2是氯化铝AlCl3、氯化锆ZrCl4、溴化锆ZrBr4、氯化镁MgCl2、溴化镁MgBr2、碘化镁MgI2、溴化铝AlBr3或碘化铝AlI3，并且 该方法还包括以下步骤： d通过用氟化剂处理导体束1，将存在于各自碳导体的材料中的金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物转化成金属氟化物，其中所述用氟化剂的处理在低于200℃的温度下进行， 其中所述氟化剂包含全氟化或氟化烯烃，氟氯烃FCKW，氢氟烃FKW，或选自XeF2或F2的另一种氟化合物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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