中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杜杳隽获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116165837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111416385.6，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由杜杳隽;丁丽华设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，方法包括：提供初始版图层，包括多个沿第一方向排布的图形行，每个图形行均包括沿第二方向规律排布的多个图形，第一方向垂直于第二方向；将初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层，将间隔相邻的图形行置于第一版图层中，将剩余图形行置于第二版图层中；将第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层，将第一版图层的每个图形行中，间隔相邻的图形置于第三版图层中，剩余图形置于第四版图层中；将第二版图层拆分为第五版图层和第六版图层，将第二版图层的每个图形行中，间隔相邻的图形置于第五版图层中，剩余图形置于第六版图层中。本发明提高光学邻近修正效果的同时，节约工艺成本。
本发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 提供初始版图层，所述初始版图层包括多个沿第一方向排布的图形行，每个所述图形行均包括沿第二方向规律排布的多个图形，所述第一方向垂直于第二方向； 将所述初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层，用于将间隔相邻的所述图形行置于第一版图层中，将剩余所述图形行置于第二版图层中； 将所述第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层，用于将第一版图层的每个所述图形行中，间隔相邻的所述图形置于第三版图层中，剩余所述图形置于第四版图层中； 将所述第二版图层拆分为第五版图层和第六版图层，用于将第二版图层的每个所述图形行中，间隔相邻的所述图形置于第五版图层中，剩余所述图形置于第六版图层中； 其中，所述第三版图层、第四版图层、第五版图层和第六版图层用于单独被执行光学邻近修正。
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