上海华力集成电路制造有限公司胡丹丹获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种掩模制备方法和掩模结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111268350.2，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种掩模制备方法和掩模结构是由胡丹丹;张瑜;高松设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掩模制备方法和掩模结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种新型掩模结构和制备方法，提供石英玻璃基板；利用至少两束激光从不同角度射入玻璃基板内部相交形成激光干涉点，使得激光干涉点处结晶得到具有目标透光率的设计形状；冷却得到位于石英玻璃基板内部，且具有目标透光率和具有设计形状的结晶体，可得到设于石英玻璃基板内部的具有目标透光率和设计形状的结晶体，新型掩模制备流程简单，清洗和维护方便，设计形状完全密封，使用过程中不易产生形变，导致曝光图形透过保护膜后成像不会发生变化，设计形状是玻璃转变成晶体，热膨胀系数更低，有效减少掩模版热效应。
本发明授权一种掩模制备方法和掩模结构在权利要求书中公布了：1.一种掩模制备方法，其特征在于，所述方法至少包括： 步骤一、提供石英玻璃基板； 步骤二、利用至少两束激光从不同角度射入石英玻璃基板，在所述石英玻璃基板内部相交形成激光干涉点，使得所述激光干涉点处重新结晶，从而得到具有目标透光率的设计形状，所述设计形状包括厚度和线宽； 步骤三、冷却得到位于所述石英玻璃基板内部，且具有所述目标透光率和具有所述设计形状的结晶体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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