上海华力集成电路制造有限公司朱轩廷获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种消除栅氧化层下埋工艺中硅残留的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111244873.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种消除栅氧化层下埋工艺中硅残留的方法是由朱轩廷;朱轶铮;陆连设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种消除栅氧化层下埋工艺中硅残留的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种消除栅氧化层下埋工艺中硅残留的方法，至少包括：提供衬底，在衬底上形成多个STI，STI之间的区域分别定义为中压器件区和高压器件区，衬底上形成有覆盖中压器件区和高压器件区以及STI区的硬掩膜；分别刻蚀在中压器件区和高压器件区，形成不同深度的硅沟槽；在硅沟槽底部形成具有第一厚度的刻蚀二氧化硅层；利用Si相对SiO2的高选择比对硅沟槽区进行各向同性刻蚀，去除硅沟槽侧壁靠近STI区的硅；利用SiO2相对Si的高选择比刻蚀去除沟槽区底部的刻蚀终止层，能够消除栅氧化层下埋工艺中的硅残留，从而达到抑制栅氧化层电流遂穿效应并大大提高氧化层可靠性的目的。
本发明授权一种消除栅氧化层下埋工艺中硅残留的方法在权利要求书中公布了：1.一种消除栅氧化层下埋工艺中硅残留的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成多个STI，所述STI之间的区域分别定义为中压器件区和高压器件区，所述衬底上形成有覆盖所述中压器件区和高压器件区以及STI区的硬掩膜； 步骤二、分别刻蚀在所述中压器件区和所述高压器件区，形成不同深度的硅沟槽； 步骤三、以氧气作为离子源，采用等离子气体在所述硅沟槽底部氧化形成具有第一厚度的二氧化硅层； 步骤四、利用Si相对SiO2的高选择比对所述硅沟槽进行各向同性干法刻蚀，采用至少含有Cl2、NF3和He的混合等离子气体，去除所述硅沟槽侧壁靠近所述STI区的硅残留； 步骤五、利用SiO2相对Si的高选择比刻蚀去除所述硅沟槽底部的所述二氧化硅层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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