长鑫存储技术有限公司李宗翰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111208074.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制备方法与应用是由李宗翰设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体器件及其制备方法与应用。其中，所述半导体器件，包括：衬底；半导体材料层，半导体材料层位于衬底上，且覆盖部分衬底；栅极，栅极位于半导体材料层和未被半导体材料层覆盖的衬底上；其中，沿栅极的延伸方向，半导体材料层的宽度小于衬底的宽度，且半导体材料层与衬底的材料的载流子迁移率不同。本申请通过形成沿栅极的延伸方向，宽度小于衬底的宽度的半导体材料层，且根据半导体材料层与衬底的载流子迁移率的差异，提供了一种至少为三阶的控制器件，该控制器件至少包括关断、半导通和完全导通三个状态。在实际电路应用中能够根据电压情况切换多种工作状态，降低GIDL电流。
本发明授权半导体器件及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于， 包括： 衬底； 半导体材料层，所述半导体材料层位于所述衬底上，且覆盖部分所述衬底； 栅极，所述栅极位于所述半导体材料层和未被所述半导体材料层覆盖的所述衬底上；其中， 沿所述栅极的延伸方向，所述半导体材料层的宽度小于所述衬底的宽度，且所述半导体材料层与所述衬底的材料的载流子迁移率不同； 所述半导体器件包括三个状态，当施加于所述半导体器件的电压小于第一阈值时，所述半导体器件为关断状态；当所述电压大于第一阈值且小于第二阈值时，所述半导体器件为半导通状态；当所述电压大于第二阈值时，所述半导体器件为完全导通状态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号