AGC株式会社藤井直树获国家专利权
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龙图腾网获悉AGC株式会社申请的专利硫化物系固体电解质及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116323478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180069612.4，技术领域涉及：H01B1/10；该发明授权硫化物系固体电解质及其制造方法是由藤井直树;赤塚公章;西沢学;林英明设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本硫化物系固体电解质及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硫化物系固体电解质，其为锂离子二次电池中使用的硫化物系固体电解质，在X射线衍射图谱中，在2θ＝30.3±0.5°的范围内具有半峰宽分别为0.07°以上的峰A和峰B，它们的衍射角2θ的差为0.05°以上，具有LiaPSbHac5≤a≤7、4≤b≤6且0＜c≤2，Ha为卤素元素表示的硫银锗矿型的晶体结构。
本发明授权硫化物系固体电解质及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硫化物系固体电解质，其为锂离子二次电池中使用的硫化物系固体电解质， 具有LiaPSbHac表示的硫银锗矿型的晶体结构，其中，5≤a≤7、4≤b≤6且0＜c≤2，Ha为卤素元素， 在使用Cu－Kα射线的X射线衍射图谱中，所述硫银锗矿型的晶体结构在2θ＝30.3±0.5°的范围内具有半峰宽分别为0.07°以上的峰A和峰B， 所述峰A和所述峰B的衍射角2θ的差为0.05°以上， 所述峰A和所述峰B为来自晶格常数相差0.02Å以上的2种硫银锗矿型晶体结构的峰。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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