南亚科技股份有限公司林瑄智获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111175050.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置是由林瑄智设计研发完成，并于2021-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：一种半导体存储器装置包括基板、多个接合垫、第一导电层、多个第一电容器、多个第二电容器、第二导电层与多个第三电容器。基板具有主动区。主动区具有第一区、第二区与第三区。第三区围绕第一区。第二区围绕第一区与第三区。接合垫设置在第一区上。第一导电层设置于第二区上。第一电容器分别设置于接合垫上。第二电容器配置于第一导电层上。第二导电层配置于第二电容器上。第三电容器配置于第三区。第二导电层不与第三电容器电性连接。如此，能够减少信号噪声杂讯。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，其特征在于，包括： 基板，具有主动区，其中该主动区具有第一区、第二区与第三区，该第三区围绕该第一区，该第二区围绕该第一区与该第三区； 复数个接合垫，设置在该第一区与该第三区上； 第一导电层，设置在该第二区上； 复数个第一电容器，分别设置在该第一区的该些接合垫上； 复数个第二电容器，设置在该第一导电层上； 第二导电层，设置在该些第二电容器上；以及 复数个第三电容器，分别设置在该第三区的该些接合垫上，其中该第二导电层不电性连接于该些第三电容器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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