长鑫存储技术有限公司王路广获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111145116.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制作方法是由王路广设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制作方法。其中半导体结构的制作方法，包括：提供基片，基片包括半导体衬底、栅极结构以及介质层，半导体衬底内形成有漏区以及源区，栅极结构位于源区与漏区之间，介质层覆盖栅极结构以及半导体衬底；于基片内形成接触孔，接触孔贯穿介质层至源区和或漏区；至少于接触孔内形成半导体连接结构，并形成接触并覆盖半导体连接结构表面的接触结构；于接触结构上形成导电结构。本申请可以降低接触结构形成时产生的应力对器件性能造成的影响。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基片，所述基片包括半导体衬底、栅极结构以及介质层，所述半导体衬底内形成有漏区以及源区，所述栅极结构位于所述源区与所述漏区之间，所述介质层覆盖所述栅极结构以及所述半导体衬底； 于所述基片内形成接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层至所述源区和或所述漏区； 于所述接触孔内以及所述介质层表面形成半导体连接结构，并于所述半导体连接结构表面形成接触结构，包括：于所述接触孔内部外延生长第一连接结构；于所述第一连接结构表面以及所述介质层表面形成第二连接材料层；于所述第二连接材料层表面形成接触材料层；通过热处理，使所述接触材料层与部分所述第二连接材料层反应以形成所述接触结构，剩余的所述第二连接材料层构成第二连接结构，其中，所述半导体连接结构包括所述第一连接结构与所述第二连接结构，所述接触结构接触并覆盖所述半导体连接结构表面，在垂直于所述接触孔延伸方向的方向上，所述接触结构穿越所述接触孔所在区域的内外； 于所述接触结构上形成导电结构。
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