中国电子科技集团公司第十三研究所刘林杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113937087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111107317.1,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳是由刘林杰;周扬帆;乔志壮;王轲;任赞;李杰;张丹;杨晓莲设计研发完成,并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳在说明书摘要公布了:本发明提供了一种基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳,属于高频高速陶瓷封装技术领域,基于HTCC技术的布线结构包括:下层陶瓷件;以及上层陶瓷件,与所述下层陶瓷件共同围合形成空气腔;其中,在所述下层陶瓷件构成所述空气腔的上表面形成有至少一条的平面GCPW传输线,在所述下层陶瓷件于所述空气腔之外部分的上表面、所述上层陶瓷件的上表面及侧表面共同形成有至少一条的立式GCPW传输线,所述立式GCPW传输线在所述下层陶瓷件上的投影与所述平面GCPW传输线交叉设置。本发明提供的基于HTCC技术的布线结构,相较于具有相同特性阻抗的埋层GCPW结构,中心导带线宽加宽,更加方便加工制造,减小工艺生产难度,且易于实现。
本发明授权基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳在权利要求书中公布了:1.一种基于HTCC技术的布线结构的制备方法,其特征在于,基于HTCC技术的布线结构包括: 下层陶瓷件;以及 上层陶瓷件,与所述下层陶瓷件共同围合形成空气腔; 其中,在所述下层陶瓷件构成所述空气腔的上表面形成有至少一条的平面GCPW传输线,且所述空气腔在所述平面GCPW传输线的两端开口,在所述下层陶瓷件于所述空气腔之外部分的上表面、所述上层陶瓷件的上表面及侧表面共同形成有至少一条的立式GCPW传输线,所述立式GCPW传输线在所述下层陶瓷件上的投影与所述平面GCPW传输线交叉设置; 所述基于HTCC技术的布线结构的制备方法,包括以下步骤: 制作生瓷片; 在生瓷片上加工出空气腔; 在生瓷片构成空气腔的表面制作平面GCPW传输线金属化图形; 在空气腔内部填入牺牲材料,对生瓷片进行叠片处理; 对叠片后的生瓷片进行层压处理,通过工艺参数调整控制层间致密度和腔体形状; 将生瓷片切割裂片成单个生瓷件; 在单个生瓷件的表面制作立式GCPW传输线金属化图形; 对生瓷件进行烧结处理,在生瓷件烧结过程中,牺牲材料烧失,制备出具有空气腔的陶瓷件; 对陶瓷件进行表面镀镍、表面镀金处理,得到基于HTCC技术的布线结构。
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