力晶积成电子制造股份有限公司洪锦石获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利提高边界虚拟存储器阵列的本质临界电压的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714107B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111036927.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权提高边界虚拟存储器阵列的本质临界电压的方法是由洪锦石;易成名;邓才科设计研发完成，并于2021-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高边界虚拟存储器阵列的本质临界电压的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种提高虚拟存储器阵列的本质临界电压VthIntrinsicVth的方法。在一基底上制作边界虚拟存储器阵列、主存储器阵列、解码器以及周边元件的过程中，所述方法进一步包括对边界虚拟存储器阵列施行额外的注入制作工艺，使边界虚拟存储器阵列的阱区浓度大于主存储器阵列的阱区浓度。另一方面，在制作解码器或周边元件的期间，同时对原本不会接受注入的边界虚拟存储器阵列进行额外的注入制作工艺，也可实现边界虚拟存储器阵列的阱区浓度大于主存储器阵列的阱区浓度并节省光掩模。
本发明授权提高边界虚拟存储器阵列的本质临界电压的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高边界虚拟存储器本质临界电压的方法，包括在基底上制作边界虚拟存储器阵列、主存储器阵列、解码器以及周边元件，其中所述边界虚拟存储器阵列的阱区与所述主存储器阵列的阱区是用同一道制作工艺形成，且所述方法还包括以下至少一个步骤： 在制作所述解码器期间，同时对所述解码器的区域内的所述基底与所述边界虚拟存储器阵列的所述阱区进行第一注入制作工艺，以形成所述解码器的阱区并使所述边界虚拟存储器阵列的所述阱区的掺杂浓度大于所述主存储器阵列的所述阱区的掺杂浓度； 在制作所述周边元件期间，同时对所述周边元件的区域内的所述基底与所述边界虚拟存储器阵列的所述阱区进行第二注入制作工艺，以形成所述周边元件的阱区并使所述边界虚拟存储器阵列的所述阱区的所述掺杂浓度大于所述主存储器阵列的所述阱区的所述掺杂浓度； 对所述边界虚拟存储器阵列的所述阱区进行第三注入制作工艺，以使所述边界虚拟存储器阵列的所述阱区的所述掺杂浓度大于所述主存储器阵列的所述阱区的所述掺杂浓度。
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