长鑫存储技术有限公司穆克军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110938731.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由穆克军设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的栅极；分别位于所述栅极两侧的所述衬底中的源区和漏区；位于所述衬底中的防穿通结构，所述防穿通结构包括彼此相对的第三表面和第四表面，所述第三表面靠近所述第一表面且低于所述第一表面，所述防穿通结构位于所述源区和所述漏区之间。本申请通过在衬底中的源区和漏区之间设置防穿通结构可以减少或避免短沟道效应的影响，提高器件性能。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于， 包括： 衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面； 位于所述衬底的第一表面上的栅极； 分别位于所述栅极两侧的所述衬底中的源区和漏区； 位于所述衬底中的多个防穿通结构，所述防穿通结构包括彼此相对的第三表面和第四表面，所述第三表面靠近所述第一表面且低于所述第一表面，所述防穿通结构位于所述源区和所述漏区之间；所述多个防穿通结构相对于所述栅极的中轴线成对称分布，且所述防穿通结构与所述第一表面之间的距离沿所述中轴线至所述源区或所述漏区的方向依次递增。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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