陈政委获国家专利权
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龙图腾网获悉陈政委申请的专利一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114457414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110790896.8，技术领域涉及：C30B15/34；该发明授权一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法是由陈政委;胡开朋;吕进;辛泽文;邓德辉;赵德刚;吴忠亮设计研发完成，并于2021-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法。其中，一种用于氧化镓晶体生长的模具包括：两个模具板，两个模具板间隔设置并在两个模具板之间形成间隙，并且每个模具板上端的横截面为非直角的平行四边形结构。该模具所设计的平行四边形结构与晶体生长的形貌完全贴合，减小了应力的产生，从而保障了（001）面氧化镓晶体的稳定生长，有效避免了氧化镓晶体生长失败以及提高了生长出的（001）面氧化镓晶体的质量，并且，所设计的向外突出的圆弧形结构又实现了较大的径向温度梯度，使得晶体放肩速度得到有效控制，使晶体内部原子有充足的时间规则排列，从而解决了（001）面氧化镓晶体生长容易产生多晶的问题。
本发明授权一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种用于氧化镓晶体生长的模具，其特征在于，包括：两个模具板（10），所述两个模具板（10）间隔设置并在所述两个模具板（10）之间形成间隙（20），并且每个所述模具板（10）上端的横截面为非直角的平行四边形结构； 所述模具板（10）上端的横截面的一内角为100°~105°，间隙（20）为0.3mm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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