TCL科技集团股份有限公司林雄风获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110622011.3，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权一种量子点发光二极管及其制备方法是由林雄风设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供衬底，在衬底上形成底电极；提供界面修饰材料、电子传输材料及有机溶剂，混合，得到混合溶液；提供量子点材料，将量子点材料设置在底电极上，形成量子点膜，再将混合溶液设置在所述量子点膜的表面，干燥以得到量子点发光层及电子传输层，其中，所述量子点膜为量子点干膜或量子点湿膜；在所述电子传输层上形成顶电极。所述制备方法可以使得量子点与电子传输材料之间的接触模式由常规的点接触改为面接触，可以有效的增加量子点发光层与电子传输层之间的有效接触面积，促进量子点发光层与电子传输层之间的电子传输。本申请还提供一种由所述制备方法制得的量子点发光二极管。
本发明授权一种量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管的制备方法，其包括如下步骤： 提供衬底，在所述衬底上形成底电极； 提供界面修饰材料、电子传输材料及有机溶剂，混合，得到混合溶液； 提供量子点材料，将所述量子点材料设置在底电极上，形成量子点湿膜，再将所述混合溶液通过溶液法设置在所述量子点湿膜的表面，使量子点湿膜表面的量子点与电子传输材料互混，成膜后干燥，得到量子点发光层、结合于所述量子点发光层的过渡层、及结合于过渡层的电子传输层，所述过渡层内包含量子点、界面修饰材料及电子传输材料，所述过渡层中的量子点来自所述量子点湿膜，所述过渡层中的界面修饰材料填充在所述过渡层中的量子点之间的间隙中、电子传输材料之间的间隙中、及量子点与电子传输材料之间的间隙中； 在所述电子传输层上形成顶电极。
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