意法半导体股份有限公司S·拉斯库纳获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利在SiC基电子器件中的欧姆接触形成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110410319.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权在SiC基电子器件中的欧姆接触形成是由S·拉斯库纳;M·G·萨吉奥;G·弗兰科设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本在SiC基电子器件中的欧姆接触形成在说明书摘要公布了：本申请的实施例涉及在SiC基电子器件中的欧姆接触形成。一种用于制造SiC基电子器件的方法，包括步骤：在由具有N型导电性的SiC构成的固体的前侧上注入P型的掺杂剂物质，因此形成注入区域，该注入区域在固体中从前侧开始延伸并且具有与前侧共面的顶面；以及生成朝向注入区域定向的激光光束，以便将注入区域加热到介于1500℃和2600℃之间的温度，从而在注入区域处形成富碳电接触区域。富碳电接触区域形成欧姆接触。
本发明授权在SiC基电子器件中的欧姆接触形成在权利要求书中公布了：1.一种用于制造SiC基电子器件的方法，包括： 提供具有第二导电类型的掺杂剂的SiC衬底，所述SiC衬底具有沿第一方向与第二表面相对的第一表面； 通过在从外部经过所述SiC衬底的第一表面注入所述SiC衬底中的第一导电类型的掺杂剂，形成第一掺杂区域，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型，所述第一掺杂区域在所述SiC衬底中沿所述第一方向从所述SiC衬底的第一表面向所述SiC衬底的第二表面延伸； 在第一掺杂区域中形成第二掺杂区域，所述第二掺杂区域具有所述第二导电类型； 在所述SiC衬底的第一表面上形成第一栅，所述第一栅沿所述第一方向与所述第二掺杂区域的第一边缘重叠； 在所述SiC衬底的第一表面上形成第二栅，所述第二栅沿所述第一方向与所述第二掺杂区域的第二边缘重叠；以及 在所述第一栅和所述第二栅之间的所述第一掺杂区域处形成第一富碳电接触区域，所述第一富碳电接触区域在所述第二掺杂区域中， 其中所述第一掺杂区域的顶面、所述第二掺杂区域的顶面、所述第一富碳电接触区域的顶面与所述SiC衬底的第一表面共面； 其中在所述第一方向上，所述第一掺杂区域的厚度、所述第二掺杂区域的厚度、所述第一富碳电接触区域的厚度依次减小。
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