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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利LED前体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022870.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权LED前体是由A·皮诺斯;W·S·谭;金峻渊;于翔;S·阿什顿;S·梅佐阿里设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED前体在说明书摘要公布了：提供了一种制造LED前体的方法和LED前体。通过形成具有生长表面的单片生长堆叠并在该生长表面上形成单片LED堆叠来制造LED前体。该单片生长堆叠包括包含III族氮化物的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层。第二半导体层包括含有施主掺杂剂的第一III族氮化物，使得第二半导体层具有至少5×1018cm‑3的施主密度。第二半导体层具有至少15％的面积孔隙率和第一面内晶格常数。第三半导体层包括不同于第一III族氮化物的第二III族氮化物。单片生长堆叠包括包含第三半导体层的平台结构，使得生长表面包括第三半导体层的平台表面和围绕平台表面的第三半导体层的侧壁表面。第三半导体层的侧壁表面相对于平台表面倾斜。第三半导体层的平台表面具有大于第一面内晶格常数的第二面内晶格常数。

本发明授权LED前体在权利要求书中公布了：1.一种制造LED前体的方法，包括： 形成具有生长表面的单片生长堆叠；以及 在所述单片生长堆叠的生长表面上形成单片LED堆叠， 其中： a形成所述单片生长堆叠包括： 形成包括III族氮化物的第一半导体层； 在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层包括含有施主掺杂剂的第一III族氮化物，使得所述第二半导体层具有至少5×1018cm-3的施主密度； 在所述第二半导体层的与所述第一半导体层相反的一侧上形成第三半导体层，其中，所述第三半导体层提供所述单片生长堆叠的生长表面，所述第三半导体层包括不同于所述第一III族氮化物的第二III族氮化物，使得所述第三半导体层在压缩应变下形成在所述第二半导体层上；以及 从所述生长表面穿过所述第三半导体层的厚度选择性地去除所述第三半导体层的一部分，使得所述单片生长堆叠的生长表面包括第三半导体层的平台表面和围绕所述平台表面的所述第三半导体层的侧壁表面， 其中，在形成所述第三半导体层之后： 对所述第二半导体层进行孔隙率处理，以将所述第二半导体层的面积孔隙率增加到至少15％；以及 将所述第三半导体层加热到应变松弛温度，使得所述第三半导体层松弛，使得所述平台表面的面内晶格常数增加；以及 b形成所述单片LED堆叠包括： 在所述单片生长堆叠的生长表面上形成包括III族氮化物的第四半导体层，使得所述第四半导体层覆盖所述第三半导体层的平台表面； 在所述第四半导体层上形成有源层，所述有源层包括多个量子阱层，每个量子阱层包括III族氮化物； 在所述有源层上形成包括III族氮化物的p型半导体层。

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