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龙图腾网获悉欣兴电子股份有限公司申请的专利芯片封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011584196.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片封装结构及其制作方法是由杨凯铭;彭家瑜;陈姵圻;林溥如;柯正达设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括芯片、重配置线路层、焊球、封装胶体以及应力缓冲层。芯片具有彼此相对的主动面与背面以及连接主动面与背面的周围表面。重配置线路层配置于芯片的主动面上。焊球配置于重配置线路层上，且芯片通过重配置线路层与焊球电性连接。封装胶体覆盖芯片的主动面与背面、重配置线路层以及部分焊球。应力缓冲层至少覆盖芯片的周围表面。应力缓冲层的外表面切齐于封装胶体的侧表面。本发明的芯片封装结构可有效地保护芯片的边缘，且增加整体的结构强度及结构可靠度。

本发明授权芯片封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 芯片，具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面； 重配置线路层，配置于所述芯片的所述主动面上； 焊球，配置于所述重配置线路层上，其中所述芯片通过所述重配置线路层与所述焊球电性连接； 封装胶体，覆盖所述芯片的所述主动面与所述背面、所述重配置线路层以及部分所述焊球；以及 应力缓冲层，至少覆盖所述芯片的所述周围表面，其中所述应力缓冲层的外表面切齐于所述封装胶体的侧表面， 所述封装胶体具有彼此相对的上表面与下表面，所述侧表面连接所述上表面与所述下表面，且所述侧表面包括第一侧表面与第二侧表面，所述应力缓冲层还延伸覆盖所述第一侧表面与所述上表面，且所述应力缓冲层的所述外表面切齐于所述第二侧表面， 所述封装胶体的所述上表面与所述芯片的所述主动面之间具有第一垂直间距，而所述封装胶体的所述下表面与所述芯片的所述背面之间具有第二垂直间距，且所述第一垂直间距大于所述第二垂直间距， 所述应力缓冲层的材质不同于所述封装胶体的材质，而所述应力缓冲层的材质包括硅烷偶合剂聚合物、硅橡胶、环氧树脂或感光型介电材料。

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