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龙图腾网获悉嘉兴斯达半导体股份有限公司申请的专利一种高集成IPM封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011535538.4，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权一种高集成IPM封装结构是由戴志展;李申祥;王宇航设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高集成IPM封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高集成IPM封装结构，包括芯片载体及固定在芯片载体上的IPM模块，且所述芯片载体及IPM模块的外表面包覆有用于封装的塑封外壳，所述IPM模块由三个结构相同的IPM单元组合而成以形成三相的逆变输出；所述IPM单元包括分别设置在绝缘垫片两侧的上管功率臂单元和下管功率臂单元，上管功率臂单元与下管功率臂单元之间通过铜桥连接，所述上管功率臂单元包括上管IGBT芯片、FWD芯片、高压驱动芯片及设置在各芯片间起连接作用的铜桥，所述上管IGBT芯片通过铜桥设置在所述绝缘垫片的上表面，高压驱动芯片设置在铜桥上并通过金线连接该铜桥以及上管IGBT芯片的栅极以与铜桥的连通并控制上管IGBT芯片的开断。

本发明授权一种高集成IPM封装结构在权利要求书中公布了：1.一种高集成IPM封装结构，包括芯片载体及固定在芯片载体顶部的IPM模块，且所述芯片载体及IPM模块的外表面包覆有用于封装的塑封外壳，其特征在于：所述芯片载体为绝缘垫片，所述IPM模块由三个结构相同的IPM单元组合而成以形成三相的逆变输出；所述IPM单元包括分别设置在绝缘垫片两端的上管功率臂单元和下管功率臂单元，上管功率臂单元与下管功率臂单元之间通过第一铜桥连接，所述上管功率臂单元包括上管IGBT芯片、上管FWD芯片、高压驱动芯片，所述上管IGBT芯片通过第二铜桥设置在所述绝缘垫片的上表面，所述FWD芯片通过第一铜桥堆叠设置在上管IGBT芯片远离绝缘垫片的一侧，所述高压驱动芯片设置在第四铜桥上并通过金线连接该第四铜桥以及上管IGBT芯片的栅极以与第四铜桥的连通并控制上管IGBT芯片的开断，所述第四铜桥延伸出塑封外壳外；所述上管FWD芯片通过其上侧的第三铜桥连接至第二铜桥，上管功率臂单元一侧的所述第二铜桥延伸至塑封外壳外以作为输入端；所述下管功率臂单元包括下管IGBT芯片、下管FWD芯片、低压驱动芯片，所述下管IGBT芯片通过所述第一铜桥设置在所述绝缘垫片的上表面，所述下管FWD芯片通过第七铜桥堆叠设置在下管IGBT芯片远离绝缘垫片的一侧，所述低压驱动芯片设置在第八铜桥上并通过金线连接该第八铜桥以及下管IGBT芯片的栅极以与第八铜桥的连通并控制下管IGBT芯片的开断，所述第八铜桥延伸出塑封外壳外；下管FWD通过其上侧的第六铜桥连接至第一铜桥，所述下管功率臂单元一侧的第一铜桥延伸至塑封外壳外以作为输出端。

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