京东方科技集团股份有限公司孟凡理获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种平板探测器及医学影像探测设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114530517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011321034.2,技术领域涉及:H10F39/18;该发明授权一种平板探测器及医学影像探测设备是由孟凡理;陈江博;李泽源;卢尧;党宁设计研发完成,并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平板探测器及医学影像探测设备在说明书摘要公布了:本发明涉及数字医疗影像技术领域,公开了一种平板探测器及医学影像探测设备,该平板探测器包括衬底基板,衬底基板划分有多个探测单元,每个探测单元包括设于衬底基板上且层叠设置的第一吸收层和第二吸收层,第二吸收层位于第一吸收层背离衬底基板的一侧,第二吸收层所吸收的射线能量等级小于第一吸收层所吸收的射线能量等级;供压电极结构;与供压电极结构电连接且用于输出第一吸收层的第一探测信号和输出第二吸收层的第二探测信号的输出电路。该平板探测器中有能吸收不同能量的射线的第一吸收层和第二吸收层,能实现高能射线的探测,也能实现低能射线的探测,兼容性好,且可以在同一次双能射线曝光中实现双能剪影探测,使用方便。
本发明授权一种平板探测器及医学影像探测设备在权利要求书中公布了:1.一种平板探测器,其特征在于,包括衬底基板,所述衬底基板划分有多个探测单元,每个所述探测单元包括: 设于所述衬底基板上且层叠设置的第一吸收层和第二吸收层,所述第二吸收层位于所述第一吸收层背离所述衬底基板的一侧,所述第二吸收层所吸收的X射线能量等级小于所述第一吸收层所吸收的X射线能量等级; 用于给所述第一吸收层和所述第二吸收层提供工作电压的供压电极结构; 与所述供压电极结构电连接且用于输出所述第一吸收层的第一探测信号和输出所述第二吸收层的第二探测信号的输出电路; 所述输出电路包括设于所述衬底基板上、且同层设置的第一TFT和第二TFT; 所述第一TFT与所述第二TFT背离所述衬底基板的一侧依次设有层间绝缘层和第一平坦层; 所述供压电极结构包括位于所述第一平坦层背离所述层间绝缘层的一侧且依次层叠设置的第一底电极、第一顶电极、第二底电极和第二顶电极;所述第一顶电极与所述第二底电极之间设有第二平坦层,所述第一吸收层位于所述第一底电极与所述第一顶电极之间,所述第二吸收层位于所述第二底电极与所述第二顶电极之间;所述第一底电极与所述第一TFT的源电极电连接,所述第二底电极与所述第二TFT的源电极电连接; 所述供压电极结构还包括:与所述第一底电极同层设置的第一连接电极以及与所述第一顶电极同层设置的第二连接电极,所述第一连接电极与所述第二连接电极之间设置有与所述第一吸收层同层设置的第三平坦层;其中,所述第一连接电极通过第一过孔与所述第二TFT的源电极电连接,所述第二连接电极通过第二过孔与所述第一连接电极电连接,所述第二底电极通过第三过孔与所述第二连接电极电连接。
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