株式会社日立高新技术今村伸获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利闪烁器、测量装置、质量分析装置以及电子显微镜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114787959B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080085111.0，技术领域涉及：H01J49/02；该发明授权闪烁器、测量装置、质量分析装置以及电子显微镜是由今村伸;楠敏明;高桥惠理;关口好文;神田隆之设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪烁器、测量装置、质量分析装置以及电子显微镜在说明书摘要公布了：提供使发光强度提升的闪烁器等。闪烁器S具备：蓝宝石基板6；GaN层4，其相对于蓝宝石基板6设于入射侧，包含GaN；量子阱构造3，其相对于GaN层4设于入射侧；导电层2，其相对于量子阱构造3设于入射侧，在量子阱构造3中，将包含InGaN的多个发光层21和包含GaN的多个阻挡层22交替层叠，在量子阱构造3与导电层2之间设有包含氧的含氧层23。
本发明授权闪烁器、测量装置、质量分析装置以及电子显微镜在权利要求书中公布了：1.一种闪烁器，其特征在于，具备： 基板； GaN层，其相对于所述基板设于入射侧，包含GaN； 量子阱构造，其相对于所述GaN层设于入射侧；和 导电层，其相对于所述量子阱构造设于入射侧， 在所述量子阱构造中，将包含InGaN的多个发光层和包含GaN的多个阻挡层交替层叠， 在所述量子阱构造与导电层之间设有包含氧的含氧层， 所述导电层与所述量子阱构造之间的界面电阻是10-1～10-5Ωcm2的范围内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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