株式会社电装勅使河原明彦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利元件形成晶片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080179.X，技术领域涉及：H10N30/09；该发明授权元件形成晶片及其制造方法是由勅使河原明彦;铃木爱美设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本元件形成晶片及其制造方法在说明书摘要公布了：进行以下步骤：准备具有多个芯片形成区域101的半导体晶片100；在半导体晶片100上形成薄层110；设薄层110中的构成芯片形成区域101中的各个元件的部分为元件构成部分110a，调整应力以使元件构成部分110a的应力成为规定值。并且，在调整应力的步骤中，进行以下步骤：在薄层110a上配置抗蚀剂120；利用形成有开口部201的光掩模200将抗蚀剂120曝光；将抗蚀剂120显影而在该抗蚀剂120中形成开口部；以抗蚀剂120为掩模进行离子注入；在将抗蚀剂120曝光的步骤中，利用基于在元件构成部分110a中产生的应力调整了开口部的比率的光掩模。
本发明授权元件形成晶片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种元件形成晶片的制造方法，该元件形成晶片在半导体晶片上形成有薄层，该元件形成晶片的制造方法的特征在于， 进行以下步骤： 准备具有多个芯片形成区域的上述半导体晶片； 在上述半导体晶片上形成上述薄层；以及 设上述薄层中的上述芯片形成区域中的构成各个元件的部分为元件构成部分，调整应力以使上述元件构成部分的应力成为规定值； 在上述调整应力的步骤中，进行以下步骤： 在上述薄层上配置抗蚀剂； 利用形成有开口部的光掩模将上述抗蚀剂曝光； 将上述抗蚀剂显影而在该抗蚀剂中形成开口部；以及 以上述抗蚀剂为掩模而进行离子注入； 在将上述抗蚀剂曝光的步骤中，利用基于在上述元件构成部分中产生的应力而调整了上述开口部的比率的上述光掩模。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号