梅姆斯塔有限公司A·欧哈拉获国家专利权
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龙图腾网获悉梅姆斯塔有限公司申请的专利制造微结构的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114945533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080092268.6,技术领域涉及:B81C1/00;该发明授权制造微结构的方法是由A·欧哈拉设计研发完成,并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造微结构的方法在说明书摘要公布了:提供了一种制造微结构的方法,所述方法包括采用氟化氢HF蒸气蚀刻二氧化硅SiO2牺牲层,然后去除在HF蒸气蚀刻所述二氧化硅层时形成的残留层。所述残留层可以包含硅、铵盐或碳,并且公开了用于去除这些层的多种技术。这些技术可以同时应用于或依次应用于所述微结构。因此,与本领域已知的那些技术相比,所描述的方法制造的微结构表现出减少的残留物水平。
本发明授权制造微结构的方法在权利要求书中公布了:1.一种制造微结构的方法,所述方法包括: -采用氟化氢HF蒸气蚀刻二氧化硅SiO2牺牲层;以及 -一旦所述HF蒸气蚀刻完成,随后去除在HF蒸气蚀刻所述二氧化硅层时形成的固体残留层, 其中要去除的固体残留层包括硅,并且去除所述固体残留层包括: -使硅与氢气反应以产生硅烷SiH4;或 -使硅与氟气反应以产生四氟化硅SiF4;或 -用二氟化氙XeF2蒸气来蚀刻硅。
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