江苏第三代半导体研究院有限公司王国斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011174655.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法是由王国斌;王建峰;徐科设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法。所述基于GaN衬底的HEMT外延结构包括在N面极性的半绝缘GaN衬底上依次形成的界面处理层、势垒层、隔离层、沟道层和接触层。本发明基于N面GaN衬底的特性，提出全新外延结构的HEMT器件，与传统结构相比具有更高的频率特性；以及，GaN衬底以及半绝缘特性能够通过前期制备完成，可以避免后期生长高阻外延层带来的不利影响；并且同质外延不存在异质衬底上高密度位错缓冲层的问题，在外延前进行适当的界面处理，可完全阻断漏电通道的产生。
本发明授权HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN衬底的HEMT外延结构，其特征在于，包括在N面极性的半绝缘GaN衬底上依次形成的界面处理层、势垒层、隔离层和沟道层； 其中，所述界面处理层的材质为AlN，所述界面处理层的生长条件包括：以50~80%的氢气和20~50%的氨气为原料，于1050℃~1100℃、400~700mbar条件下反应5~10分钟，以去除所述半绝缘GaN衬底表面的杂质元素；然后通入Al源，并控制Al源的流量大于0且小于或等于50μmolmin。
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