成都赛力康电气有限公司李亮亮获国家专利权
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龙图腾网获悉成都赛力康电气有限公司申请的专利一种低成本MOSFET模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111900151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010819803.5，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种低成本MOSFET模块是由李亮亮;潘波;许俊;杨尧设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低成本MOSFET模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低成本MOSFET模块，包括MOSFET晶片、MOSFET基板和绑定线；MOSFET晶片通过绑定线和MOSFET基板固定连接，且MOSFET晶片和MOSFET基板通信连接。本发明的晶圆的一致性好，封装的模块电气特性好，且具有产品开发周期短，开发成本低和开发灵活的优势。体积小，杂散电感低，成本低，节省大部分的封装成本，如模具、MOSFET框架和塑封料等。热阻低，晶片直接贴于基板上，减少框架等中间层。多场景且灵活的应用场合，可根据需求来进行不同的布局。且无需开模，开发周期短。
本发明授权一种低成本MOSFET模块在权利要求书中公布了：1.一种低成本MOSFET模块，其特征在于，包括MOSFET晶片（1）、MOSFET基板（11）和绑定线（9）； 所述MOSFET晶片（1）通过绑定线（9）和MOSFET基板（11）固定连接，且所述MOSFET晶片（1）和MOSFET基板（11）通信连接； 所述MOSFET基板（11）包括从上至下依次固定连接的导电材料层（6）、绝缘绝热材料层（7）和散热材料层（8）； 所述导电材料层（6）和绝缘绝热材料层（7）之间以及绝缘绝热材料层（7）和散热材料层（8）之间均通过粘接的方式固定连接； 所述MOSFET晶片（1）直接贴于导电材料层（6）上且无MOSFET框架，晶片电极通过绑定线9与导电材料层6通信连接； 所述低成本MOSFET模块还包括封装材料（5）；所述MOSFET晶片（1）和绑定线（9）均通过封装材料（5）封装。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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