世界先进积体电路股份有限公司林文新获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利静电放电保护装置及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010766403.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护装置及电路是由林文新;黄晔仁;邱俊榕;李建兴设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电保护装置及电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种静电放电保护装置及电路，其中该静电放电保护装置，包括一衬底、一第一PNP元件、一第二PNP元件以及一隔离区。衬底具有一P型导电性。第一PNP元件及第二PNP元件形成于衬底之中。隔离区分隔第一PNP元件及第二PNP元件。本发明中NPN元件的存在，当PNP元件导通时，PNP元件具有较高的维持电压，并最佳化PNP元件的导通阻抗。此外，PNP元件可承受更高的静电放电电流。
本发明授权静电放电保护装置及电路在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括： 一衬底，具有一P型导电性； 一第一PNP元件，包括： 一第一阱，形成于该衬底之中，并具有一N型导电性； 一第一掺杂区，形成于该第一阱之中，并具有该P型导电性； 一第二掺杂区，形成于该第一阱之中，并具有该P型导电性； 一第二PNP元件，包括： 一第二阱，形成于该衬底之中，并具有该N型导电性； 一第三掺杂区，形成于该第二阱之中，并具有该P型导电性； 一第四掺杂区，形成于该第二阱之中，并具有该P型导电性； 一第一隔离区，形成于该衬底中，并分隔该第一PNP元件及该第二PNP元件； 一第五掺杂区，形成于该衬底中，并具有该P型导电性； 一第一走线，电连接该第一掺杂区及第五掺杂区； 一第六掺杂区，形成于该第一阱之中，并具有该N型导电性；以及 一第二走线，电连接该第二掺杂区、第三掺杂区及第六掺杂区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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