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龙图腾网获悉广东汇芯半导体有限公司申请的专利一种智能功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111817597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010763489.3，技术领域涉及：H02M7/5387；该发明授权一种智能功率模块是由冯锴雄;杨忠添设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种智能功率模块在说明书摘要公布了：本申请提供一种智能功率模块，包括：一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；一逆变器单元，逆变器单元仅有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管以及第四绝缘栅双极型晶体管；本申请提供的智能功率模块通过采用单颗HVIC芯片来控制两组绝缘栅双极型晶体管形成的单相全桥电路，可以降低占用芯片的面积，提高空间利用率。

本发明授权一种智能功率模块在权利要求书中公布了：1.一种智能功率模块，其特征在于，包括： 一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，所述高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，所述低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口； 一逆变器单元，所述逆变器单元仅有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管以及第四绝缘栅双极型晶体管； 所述第一绝缘栅双极型晶体管，其栅极与所述HO1端口连接，其漏极连接于P点，其源极连接于A点； 所述第二绝缘栅双极型晶体管，其栅极与所述LO1端口连接，其漏极与所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极连接，其源极与所述HVIC芯片的VSS端口连接； 所述第三绝缘栅双极型晶体管，其栅极与所述HO2端口连接，其漏极与所述第一绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，其源极连接于B点； 所述第四绝缘栅双极型晶体管，其栅极与所述LO2端口连接，其漏极与所述第三绝缘栅双极型晶体管的源极连接，其源极与所述第二绝缘栅双极型晶体管的源极连接； 所述第二绝缘栅双极型晶体管以及所述第一绝缘栅双极型晶体管组成一个全桥电路A1，所述第三绝缘栅双极型晶体管以及所述第四绝缘栅双极型晶体管组成一个全桥电路A2； 所述HVIC芯片内部的第一高侧驱动电路与第一低侧驱动电路之间、第二高侧驱动电路与第二低侧驱动电路之间分别设有互锁与死区电路，以实现所述全桥电路中的所述两个绝缘栅双极型晶体管只能择一导通。

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