无锡华润上华科技有限公司冒义祥获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010595375.2，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权半导体器件是由冒义祥;张兰;严晓芬;周俊芳设计研发完成，并于2020-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底以及形成于半导体衬底上的有源区，有源区包括沟道区、形成于沟道区上的栅极结构以及形成于沟道区两侧的源区和漏区；层间介质层，形成于有源区上；顶层金属层，位于层间介质层上并通过接触孔与有源区电连接；钝化层，位于顶层金属上，钝化层包括富氧硅层和叠设于富氧硅层上的富硅氮化硅层，其中，富氧硅层的厚度范围为富氧硅层的折射率范围为1.67～1.70。上述半导体器件，将富氧硅的厚度调整至范围内，并将其折射率调整至1.67～1.70范围内，可以在不增加额外操作便能提升半导体器件的HTRB稳定性。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为LDMOS，包括： 半导体衬底以及形成于所述半导体衬底上的有源区，所述有源区包括沟道区、形成于沟道区上的栅极结构以及形成于所述沟道区两侧的源区和漏区，所述沟道区具有第一导电类型，所述源区和漏区具有第二导电类型； 层间介质层，形成于所述有源区上； 顶层金属层，位于所述层间介质层上并通过接触孔与所述有源区电连接； 钝化层，位于所述顶层金属层上，覆盖所述顶层金属层，所述钝化层包括富氧硅层和叠设于所述富氧硅层上的富硅氮化硅，其中，所述富氧硅层的厚度范围为所述富氧硅层的折射率范围为1.67～1.70。
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