意法半导体研发(深圳)有限公司杜如峰获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体研发(深圳)有限公司申请的专利用于AB类放大器的高级负载电流监测电路和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111654252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010139938.7,技术领域涉及:H03F3/20;该发明授权用于AB类放大器的高级负载电流监测电路和方法是由杜如峰;李祥生设计研发完成,并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于AB类放大器的高级负载电流监测电路和方法在说明书摘要公布了:本公开涉及用于AB类放大器的高级负载电流监测电路和方法。在实施例中,一种AB类放大器,包括:输出级,该输出级包括被配置为将被耦合至负载的一对半桥;以及电流感测电路,被耦合至所述一对半桥中的第一半桥。电流感测电路包括电阻元件、并且被配置为通过以下方式来感测流过负载的负载电流:反射流过第一半桥的第一晶体管的电流,以生成镜像电流,使镜像电流流过电阻元件,以及基于电阻元件的电压来感测负载电流。本公开还涉及一种数字输入AB类放大器,以及一种方法。
本发明授权用于AB类放大器的高级负载电流监测电路和方法在权利要求书中公布了:1.一种AB类放大器,包括: 输出级,所述输出级包括第一半桥和第二半桥,所述第一半桥和所述第二半桥被配置为耦合至负载;以及 电流感测电路,被耦合至所述第一半桥,并且被配置为感测负载电流, 其中所述电流感测电路包括: 第一电阻元件; 第一感测晶体管,具有被耦合至所述第一半桥的第一晶体管的栅极端子的栅极端子,其中所述第一感测晶体管的漏极端子利用等于在所述第一半桥的输出处的电压的电压而被偏置,由此,由于所述第一晶体管的栅极电压与所述第一感测晶体管的栅极电压相等,并且所述第一晶体管的漏极电压与所述第一感测晶体管的漏极电压相等,从而所述第一感测晶体管生成第一电流,所述第一电流是流过所述第一晶体管的电流的缩放副本;以及 电流镜,被配置为通过镜像所述第一电流来生成第一镜像电流,并且使所述第一镜像电流流过所述第一电阻元件; 其中所述电流感测电路还被耦合至所述第二半桥,并且还包括: 第二电阻元件; 第二感测晶体管,具有被耦合至所述第二半桥的第二晶体管的栅极端子的栅极端子,其中所述第二感测晶体管的漏极端子利用等于在所述第二半桥的输出处的电压的电压而被偏置,由此,由于所述第二晶体管的栅极电压与所述第二感测晶体管的栅极电压相等,并且所述第二晶体管的漏极电压与所述第二感测晶体管的漏极电压相等,从而所述第二感测晶体管生成第二电流,所述第二电流是流过所述第二晶体管的电流的缩放副本; 另外的电流镜,被配置为通过镜像所述第二电流来生成第二镜像电流,并且使所述第二镜像电流流过所述第二电阻元件; 全差分缓冲器,接收所述第一电阻元件的第一电压和所述第二电阻元件的第二电压,并且产生具有增益的差分电压; 其中所述电流镜和所述另外的电流镜中的每一者各自包括第一电流镜,所述第一电流镜包括两个晶体管、以及第一电流镜晶体管,所述第一电流镜晶体管被配置为通过基于第一控制信号将所述第一电流镜晶体管的栅极端子选择性地连接到所述两个晶体管的栅极端子,来调整所述第一电流镜的镜像比。
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