富士电机株式会社洼内源宜获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111146197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910897265.9，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体装置及制造方法是由洼内源宜;吉田崇一设计研发完成，并于2019-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及制造方法，在半导体装置中，优选抑制温度传感器的特性变动。半导体装置具备：半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；晶体管部，其设置于半导体基板；二极管部，其设置于半导体基板；阱区，其在半导体基板的上表面露出的第二导电型；温度检测部，在俯视下其与二极管部相邻且设置于阱区的上方；上表面侧寿命控制区域，其在二极管部设置于半导体基板的上表面侧，并且在俯视下设置在不与温度检测部重叠的区域。
本发明授权半导体装置及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区； 晶体管部，其设置于所述半导体基板； 二极管部，其设置于所述半导体基板； 第二导电型的阱区，其在所述半导体基板的上表面露出； 温度检测部，在俯视下其与所述二极管部相邻，并且设置在所述阱区的上方；以及 上表面侧寿命控制区域，其在所述二极管部设置在所述半导体基板的上表面侧，并且在俯视下设置在不与所述温度检测部重叠的区域， 在俯视下，所述温度检测部被夹在与其相邻的所述二极管部之间，俯视下的整个所述二极管部配置有所述上表面侧寿命控制区域， 所述二极管部具有第一导电型的阴极区，所述阴极区设置在所述半导体基板的内部，并且在所述半导体基板的下表面露出， 在俯视下，所述上表面侧寿命控制区域的端部配置在所述阴极区与所述温度检测部之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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