力特半导体(无锡)有限公司牟宗文获国家专利权
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龙图腾网获悉力特半导体(无锡)有限公司申请的专利集成多设备芯片和封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112424943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980001455.6，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权集成多设备芯片和封装是由牟宗文;石磊;周继峰设计研发完成，并于2019-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成多设备芯片和封装在说明书摘要公布了：本发明题为“集成多设备芯片和封装”。公开了一种保护设备，该保护设备可包括半导体衬底和形成在该半导体衬底内的晶闸管型设备，其中晶闸管设备从半导体衬底的第一主表面延伸到半导体衬底的第二主表面。该保护设备可包括形成在半导体衬底内的第一PN二极管；以及形成在半导体衬底内的第二PN二极管，其中晶闸管型设备以电串联的方式布置在第一PN二极管与第二PN二极管之间。
本发明授权集成多设备芯片和封装在权利要求书中公布了：1.一种保护设备，包括： 半导体衬底； 晶闸管型设备，所述晶闸管型设备形成在所述半导体衬底内，所述晶闸管型设备从所述半导体衬底的第一主表面延伸到所述半导体衬底的第二主表面； 第一PN二极管，所述第一PN二极管形成在所述半导体衬底内，其中，第一PN二极管形成晶闸管型设备的一部分； 第二PN二极管，所述第二PN二极管形成在所述半导体衬底内，其中所述晶闸管型设备的端子以电串联的方式布置在所述第一PN二极管与所述第二PN二极管之间；和 电隔离屏障，所述电隔离屏障从所述第一主表面延伸到所述第二主表面，并且设置在所述第二PN二极管与所述晶闸管型设备之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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