上海电力学院汤乃云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海电力学院申请的专利一种基于二维材料制备的场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109830533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910093297.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于二维材料制备的场效应晶体管是由汤乃云;马逸晨设计研发完成，并于2019-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维材料制备的场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于二维材料制备的场效应晶体管，包括从下到上依次布置的衬底、上表面具有下凹槽的二氧化硅介质层、以及布置在二氧化硅介质层上并覆盖住所述下凹槽的二维材料层，在二维材料层沿下凹槽走向的两端部区域分别设置有一个有机材料体，在二维材料层沿垂直下凹槽走向的两侧区域分别生长一个金属电极。与现有技术相比，本发明的场效应晶体管当对有机材料进行辐照时，会产生局部加热，导致有机材料发生缩聚反应，从而对下方二维材料产生了应力，进而使得二维材料禁带宽度减小，电子迁移率提高，二维材料场效应晶体管性能进一步提升，此外，制备方法简便，产品电子迁移率高、稳定性好等。
本发明授权一种基于二维材料制备的场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于二维材料制备的场效应晶体管，其特征在于，包括从下到上依次布置的衬底、上表面具有下凹槽的二氧化硅介质层、以及布置在二氧化硅介质层上并覆盖住所述下凹槽的二维材料层，在二维材料层沿下凹槽走向的两端部区域分别设置有一个有机材料体，在二维材料层沿垂直下凹槽走向的两侧区域分别生长一个金属电极； 所述衬底采用硅材料制成，其厚度为100-500μm； 所述二氧化硅介质层的厚度为50-200nm； 所述二维材料层的材料为二硫化钼； 所述二维材料层的厚度在2nm内； 所述有机材料体采用低密度聚乙烯制成，其厚度为10-200nm； 所述金属电极的材料为金、银、铝、钛或铬； 所述下凹槽深度为10-50nm。
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