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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210324608.4，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权半导体器件及其制造方法是由杨育佳;江宏礼;许志成;王菘豊;陈奕升;徐志安设计研发完成，并于2017-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体器件包括场效应晶体管FET。FET包括第一沟道、第一源极和第一漏极；第二沟道、第二源极和第二漏极；以及设置在第一沟道和第二沟道上方的栅极结构。该栅极结构包括栅极介电层和栅电极层。第一源极包括第一晶体半导体层并且第二源极包括第二晶体半导体层。第一源极和第二源极通过由一种或多种IV族元素和一种或多种过渡金属元素制成的合金层连接。第一晶体半导体层未与第二晶体半导体层直接接触。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种包括场效应晶体管FET的半导体器件，所述场效应晶体管是鳍式场效应晶体管，所述鳍式场效应晶体管包括： 第一沟道、第一源极和第一漏极； 第二沟道、第二源极和第二漏极；以及 栅极结构，设置在所述第一沟道和所述第二沟道上方，所述栅极结构包括栅极介电层和栅电极层； 突出于半导体衬底的第一鳍和第二鳍，其中： 所述第一沟道和所述第二沟道、所述第一源极和所述第二源极以及所述第一漏极和所述第二漏极从所述半导体衬底上形成的绝缘层突出， 所述第一源极包括第一晶体半导体层并且所述第二源极包括第二晶体半导体层，所述第一晶体半导体层包括在所述第一鳍的一部分上形成的不同晶体半导体材料的一层或多层， 所述第一源极和所述第二源极通过由一种或多种IV族元素和一种或多种过渡金属元素制成的合金层连接并且与所述合金层连接，第二空隙设置在所述合金层的底部和所述绝缘层的上表面之间，所述第一源极和所述第二源极具有底切，和 所述第一晶体半导体层未与所述第二晶体半导体层直接接触，并且 所述合金层完全覆盖所述第一晶体半导体层以及所述第二晶体半导体层， 其中，所述合金层具有位于所述第一晶体半导体层以及所述第二晶体半导体层之间的中间部分，所述中间部分具有分别靠近所述第一晶体半导体层和所述第二晶体半导体层的第一倾斜底面和第二倾斜底面，所述第一倾斜底面和所述第二倾斜底面分别与所述第一源极和所述第二源极的底切共形，所述中间部分的顶面的最低点高于所述第一鳍和所述第二鳍的顶点，一个或多个第一空隙形成在所述合金层的所述中间部分中并且被所述合金层封闭式围绕。

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