泰塞拉公司S·卡纳卡萨巴帕蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉泰塞拉公司申请的专利半导体结构与处理获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110069312.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构与处理是由S·卡纳卡萨巴帕蒂;F·L·李;G·卡尔威;徐顺天;S·西格;何虹;D·刘;B·多里斯设计研发完成，并于2016-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构与处理在说明书摘要公布了：提供了一种半导体结构，所述半导体结构包含具有端壁15W并从衬底10向上延伸的半导体鳍部分14P。栅极结构16跨越所述半导体鳍部分14P的一部分。第一组栅极间隔物24P50P位于栅极结构16L16R的相对侧壁表面上；并且第二组栅极间隔物32P位于所述第一组栅极间隔物24P50P的侧壁上。所述第二组栅极间隔物32P的一个栅极间隔物具有直接接触所述半导体鳍部分14P的所述端壁15W的下部。
本发明授权半导体结构与处理在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 半导体鳍部分，具有端壁并从衬底向上延伸； 栅极结构，跨越所述半导体鳍部分的一部分； 第一组栅极间隔物，位于所述栅极结构的相对的侧壁表面上；以及 第二组栅极间隔物，位于所述第一组栅极间隔物的外侧壁上，其中所述第二组栅极间隔物的一个栅极间隔物具有内侧壁表面，所述内侧壁表面具有上部，所述上部直接接触所述第一组栅极间隔物中的一个栅极间隔物的外侧壁， 其中，在所述第二组栅极间隔物中，所述第二组栅极间隔物的仅一个栅极间隔物具有下部，所述下部直接接触并覆盖所述半导体鳍部分的整个所述端壁，所述第二组栅极间隔物的另一个栅极间隔物跨越所述半导体鳍部分的另一部分。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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