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龙图腾网获悉南通咸昌新材料科技有限公司申请的专利一种InGaSb三元合金多晶的双区合成装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120464855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510970758.6，技术领域涉及：C22B4/08；该发明授权一种InGaSb三元合金多晶的双区合成装置及方法是由张锋;王怀利;谢月林设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种InGaSb三元合金多晶的双区合成装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体为一种InGaSb三元合金多晶的双区合成装置及方法，包括合成腔体、多段加热器、双区合成管、合成腔体旋转机构和合成腔体底座；本发明通过采用双区结构合成管进行InGaSb多晶合成，首先分别在不同温区合成GaSb和InSb，然后再将GaSb和InSb融合合成InGaSb。与直接采用In、Ga、Sb元素进行合成相比，本方法较可通过控制GaSb和InSb的比例来有效控制InGaSb中的元素配比。同时可有效避免在采用In、Ga、Sb元素直接合成中In在InGaSb中的偏析，提高了组分的均匀性，从而保证材料的一致性。

本发明授权一种InGaSb三元合金多晶的双区合成装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种InGaSb三元合金多晶的双区合成装置，其特征在于：包括合成腔体（1）、多段加热器（2）、双区合成管（3）、合成腔体旋转机构（4）和合成腔体底座（5）； 所述合成腔体（1）用于支撑固定多段加热器（2）和双区合成管（3）并可充惰性气体保护合成装置，所述合成腔体（1）璧设有水冷盘管用于腔体降温； 所述多段加热器（2）每段为独立控温加热的电阻丝加热器； 所述合成腔体底座（5）上安装有配合启闭机构（6），且双区合成管（3）上设有隔档机构（7），所述隔档机构（7）与配合启闭机构（6）相互配合，用于对双区合成管（3）进行调节； 所述双区合成管（3）包括双区合成管主体（31）和双区合成管封帽（32），所述双区合成管主体（31）包含双区合成管合成一区（33）、双区合成管缩颈区（34）和双区合成管合成二区（35），所述隔档机构（7）位于双区合成管缩颈区（34）处； 所述双区合成管封帽（32）设有两个，两个所述双区合成管封帽（32）分别与双区合成管合成一区（33）和双区合成管合成二区（35）开口处焊接； 所述隔档机构（7）包括定位杆（71）、第一旋转套筒（72）、第二旋转套筒（73）、闭合板（74）和反向件（75），所述定位杆（71）的一端与双区合成管缩颈区（34）内壁固定连接，所述第一旋转套筒（72）转动套接在定位杆（71）外侧，且第一旋转套筒（72）上设有多个旋转槽（721），所述第二旋转套筒（73）设有多个，多个所述第二旋转套筒（73）分别转动套接在多个旋转槽（721）处，所述闭合板（74）设有两个，两个所述闭合板（74）分别与第一旋转套筒（72）和多个第二旋转套筒（73）固定连接，所述第一旋转套筒（72）的一端延伸至双区合成管缩颈区（34）的外侧且与反向件（75）连接，且其中一个第二旋转套筒（73）的一端延伸至双区合成管缩颈区（34）且与反向件（75）连接； 所述配合启闭机构（6）包括连接套筒（61）、同步块（62）、支撑调节件（63）、环绕杆（64）和限位件（65），所述连接套筒（61）滑动贯穿合成腔体（1）的一侧，且连接套筒（61）靠近双区合成管缩颈区（34）的一端设有连接槽（611），所述同步块（62）位于连接槽（611）处，且同步块（62）与第一旋转套筒（72）的一端固定连接； 所述支撑调节件（63）件位于合成腔体（1）外侧，且支撑调节件（63）用于对连接套筒（61）的位置进行调节，所述环绕杆（64）的一端滑动连接在连接套筒（61）内部，且环绕杆（64）另一端与限位件（65）连接，所述限位件（65）与合成腔体底座（5）连接。

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