华中科技大学唐江获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种Eu基稀土电致白光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417646B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510919811.X，技术领域涉及：H10K50/125；该发明授权一种Eu基稀土电致白光器件及其制备方法是由唐江;李京徽;吴兴佑;罗家俊;高歌设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Eu基稀土电致白光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电器件领域，公开了一种Eu基稀土电致白光器件及其制备方法，该Eu基稀土电致白光器件自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极；其中，发光层是基于配体调控纳米晶发光的体系，具体是以mCP材料、CsI材料和EuI2材料三者独立的作为蒸发源，通过三源共蒸热蒸发法沉积得到的；并且，发光层对应的CsI、EuI2、mCP三者的摩尔比为CsI：EuI2：mCP=0.020~0.080：0.025：0.5~2。本发明通过使用由mCP、CsI和EuI2这三个组分共同组成的三元共掺的CsEuI3@mCP的体系材料作为单基质发光层，利用配体调控纳米晶的发光，相比于现有的单基质白光技术具有高亮度、高效率和高光谱质量的优势。
本发明授权一种Eu基稀土电致白光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Eu基稀土电致白光器件，其特征在于，自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极； 其中，所述发光层是基于配体调控纳米晶发光的体系，具体是以mCP材料、CsI材料和EuI2材料三者独立的作为蒸发源，通过三源共蒸热蒸发法沉积得到的；并且，所述发光层对应的CsI、EuI2、mCP三者的摩尔比为CsI：EuI2：mCP=0.020~0.080：0.025：0.5~2。
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