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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种辐照加固的SiC超结MOS结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510906089.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种辐照加固的SiC超结MOS结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种辐照加固的SiC超结MOS结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种辐照加固的SiC超结MOS结构及其制备工艺，属于MOS半导体技术领域；包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层；本发明通过在N漂移层中间设置轻掺杂N层，并在N漂移层的两侧设置侧对称梯形状的P‑层，即可与N漂移层中的电子相互作用，加速载流子复合，减少多余载流子对器件性能的影响，有效降低辐照导致的性能衰退，提升器件在辐照环境下的可靠性和稳定性，本发明通过在轻掺杂N层的底端形成凹形状的重掺杂N层，即可使得该区域的载流子浓度大幅提升，导电性能显著增强。

本发明授权一种辐照加固的SiC超结MOS结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种辐照加固的SiC超结MOS结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极（1）、半导体外延层、源极（2）和栅极（3）；所述半导体外延层包括N衬底层（4）、N漂移层（5）、P+层（6）、N阱层（7）和P阱层（8），其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层（5）中间处设有轻掺杂N层（9）； 所述轻掺杂N层（9）的底端通过离子注入形成有重掺杂N层（11），所述重掺杂N层（11）的横截面轮廓均为凹形状，所述重掺杂N层（11）的底端与所述N衬底层（4）的上表面接触； 所述重掺杂N层（11）的内部通过离子注入形成有弧形P-层（12），所述弧形P-层（12）的底端与所述N衬底层（4）的上表面接触； 所述重掺杂N层（11）的内部且位于所述弧形P-层（12）的两侧通过离子注入形成有轻掺杂N型半层（13）； 所述轻掺杂N型半层（13）的横截面轮廓均为矩形状，所述轻掺杂N型半层（13）的底端与所述N衬底层（4）的上表面接触。

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