深圳平湖实验室夏云获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件、其制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120390439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510879183.7，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权半导体器件、其制备方法及电子设备是由夏云;陈刚设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、其制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本公开的半导体器件、其制备方法及电子设备，包括N‑漂移层；在N‑漂移层一侧的N+衬底；贯穿N+衬底的沟槽；N‑漂移层朝向N+衬底的表面接触N‑缓冲层；在沟槽朝向N‑缓冲层一侧的P+阳极；在沟槽内与P+阳极远离N‑漂移层的表面接触、在沟槽外与N+衬底远离N‑漂移层一侧的表面接触的阳极导电层；与N‑缓冲层朝向N+衬底的表面、N+衬底朝向N‑缓冲层的表面接触的N‑层；N‑层在沟槽的底面与N+衬底朝向N‑缓冲层的表面之间的厚度TNL1≥0，和或，N‑层在P+阳极朝向N‑缓冲层的表面与N‑缓冲层朝向P+阳极的表面之间的厚度TNL2≥0，至少在TNL1、TNL2为0时，N‑层的掺杂浓度小于N‑漂移层。
本发明授权半导体器件、其制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： N-漂移层； N+衬底，位于所述N-漂移层的一侧； 沟槽，贯穿所述N+衬底； N-缓冲层，与所述N-漂移层朝向所述N+衬底的表面接触； P+阳极，在所述沟槽朝向所述N-缓冲层的一侧； 阳极导电层，在所述沟槽内与所述P+阳极远离所述N-漂移层的表面接触，并在所述沟槽外与所述N+衬底远离所述N-漂移层一侧的表面接触； N-层，与所述N-缓冲层朝向所述N+衬底的表面、以及所述N+衬底朝向所述N-缓冲层的表面；所述N-层在所述沟槽的底面所在平面与所述N+衬底朝向所述N-缓冲层的表面之间的厚度TNL1大于等于0，并且，所述N-层在所述P+阳极朝向所述N-缓冲层的表面与所述N-缓冲层朝向所述P+阳极的表面之间的厚度TNL2大于等于0，至少在TNL1和TNL2均为0时，所述N-层的掺杂浓度小于所述N-漂移层的掺杂浓度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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