买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市冠禹半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的碳化硅沟槽刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510708892.9，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种半导体器件的碳化硅沟槽刻蚀方法是由李伟;高苗苗设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的碳化硅沟槽刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的碳化硅沟槽刻蚀方法，该方法包括：对碳化硅晶片进行初次采样选取参考点，在参考点的不同方向上选取多个采样点，测量每个方向上各采样点的膜厚度；得到每个方向的左拟合偏差、右拟合偏差；计算每个方向的间断度，将所有方向区分为间断方向和非间断方向；计算各非间断方向的异样度；计算各间断方向对应左侧、右侧的异样度；确定各非间断方向、各间断方向对应左侧和右侧的拟合阶数；计算碳化硅晶片的均匀度，评估碳化硅晶片的涂胶均匀性，对碳化硅晶片沟槽进行刻蚀。本申请可以动态选取拟合阶数，能够准确检测碳化硅晶片的涂胶均匀性，提高碳化硅沟槽刻蚀的精度和质量。

本发明授权一种半导体器件的碳化硅沟槽刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 对碳化硅晶片进行初次采样选取参考点，在参考点的不同方向上选取多个采样点，测量每个方向上各采样点的膜厚度； 将每个方向上所有采样点的最大膜厚度记为分割点；分析每个方向上所述分割点左侧、右侧所有采样点的膜厚度的残差情况，分别得到每个方向的左拟合偏差、右拟合偏差；针对每个方向，获取所述右拟合偏差和所述左拟合偏差中的最小值，记为最小偏差；计算所述右拟合偏差与所述左拟合偏差之间差异，记为相对差异量；计算间断度，所述间断度为所述相对差异量与所述最小偏差的比值，将所有方向区分为间断方向和非间断方向； 获取每个方向上所有采样点的膜厚度的极值点；统计各非间断方向上所有极值点的个数；计算各非间断方向上所有相邻两个极值点之间膜厚度的差异的累加和与所述个数的乘积，记为整体波动度；计算各非间断方向上所述右拟合偏差与所述左拟合偏差的平均值；计算各非间断方向的异样度，所述各非间断方向的异样度为所述平均值与所述整体波动度的乘积； 分析各间断方向上所述分割点左侧、右侧的膜厚度的极值差异情况，分别结合左拟合偏差、右拟合偏差，计算各间断方向对应左侧的异样度、右侧的异样度； 基于所有异样度，分别确定各非间断方向的拟合阶数、及各间断方向对应左侧和右侧的拟合阶数；对各非间断方向上膜厚度、各间断方向上所述分割点左侧、右侧的膜厚度分别进行多项式拟合，获取所有拟合曲线； 分析所有拟合曲线中最大、最小值的差异情况，计算碳化硅晶片的均匀度，评估碳化硅晶片的涂胶均匀性，对碳化硅晶片沟槽进行刻蚀。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市冠禹半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区泰华梧桐工业园雨水(2A)栋3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。