西安交通大学王艳丰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种垂直型氢终端金刚石场效应晶体管及电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223310192U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422516326.1，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种垂直型氢终端金刚石场效应晶体管及电子器件是由王艳丰;王宏兴;王玮;张明辉;赵浠翔设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型氢终端金刚石场效应晶体管及电子器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及金刚石场效应晶体管制备技术领域，尤其是垂直型氢终端金刚石场效应晶体管，包括金刚石衬底，通过在衬底上设置凸台，并在凸台上依次设置有氮掺杂单晶金刚石层和源极，有利于增加晶体管的立体结构，利于优化电场分布，提高器件性能；通过设置氢终端金刚石层和介质层依次包裹氮掺杂单晶金刚石层，提高金刚石表面的稳定性，降低表面态密度，有效提升器件击穿电压，在不影响器件的输出电流密度的情况下，实现器件输出功率的提升的同时，保障电子器件在恶劣环境下的性能，提高器件的可靠性和稳定性。解决现有技术中存在的大功率场效应晶体管输出电流密度低，无法有效提升电子器件功率的问题。
本实用新型一种垂直型氢终端金刚石场效应晶体管及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直型氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，包括金刚石衬底（1），所述金刚石衬底（1）上设置有凸台，所述凸台上依次设置有氮掺杂单晶金刚石层（2）和源极（4）；所述金刚石衬底（1）上还设置有氢终端金刚石层（5）和介质层（6），所述氢终端金刚石层（5）包裹氮掺杂单晶金刚石层（2），所述介质层（6）包裹氢终端金刚石层（5），所述介质层（6）上还设置有栅极（7），所述金刚石衬底（1）底部设置有漏极（3）。
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